MEMÓRIA KINGSTON 8GB DDR4 2666MHZ PARA NOTEBOOK - KVR26S19S8/8

Ref.: KVR26S19S8/8 KINGSTON

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Descrição

KVR26S19S8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 2666Mhz 1,2V 1Rx8 para notebook

 

KVR26S19S8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 2666Mhz 1,2V 1Rx8 para notebook

 

Descrição

8GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx8

 

A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.

 

Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.

 

Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.

 

Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

 

Especificações:

Tecnologia

Taxa

Classificação módulos

Largura máx. banda

 

DDR4 (1.2V)

DDR4L (1.1V)

2133

DDR4-2133

17000 MB/s or 17 GB/s

2400

DDR4-2400

19200 MB/s or 19.2 GB/s

2667

DDR4-2667

21300 MB/s or 21.3 GB/s

3200

DDR4-3200

25600 MB/s or 25.6 GB/s

 

 

 

 

 

Descrição

DDR4

Vantagens

Chip Densities

4Gb – 16Gb

Larger DIMM Capacities

Data Rates

1600Mb/s – 3200Mb/s

Migration to Higher-Speed I/O

Voltage

1.2V

Reduced Memory Power Demand

Low Voltage Standard

Anticipated at 1.1V

Memory Power Reductions

Internal Banks

16

More Banks

Bank Groups (BG)

4

Faster Burst Accesses

VREF inputs

1 – CMD/ADDR

VREFDQ Now Internal

tCK – DLL Enabled

667MHz – 1.6GHz

Higher Data Rates

tCK – DLL Disabled

Undefined to 125MHz

DLL-off now fully supported

Read Latency

AL + CL

Expanded Values

Write Latency

AL + CWL

Expanded Values

DQ Driver (ALT)

48 Ω

Optimal for PtP pplications

DQ Bus

POD12

Less I/O Noise and Power

RTT Values (in Ω)

240, 120, 80, 60, 48, 40, 34

Support for Higher Data Rates

RTT Not Allowed

Disables during Read Bursts

Ease-of-Use

ODT Modes

Nominal, Dynamic, Park

Add’l Control Mode; OTF Value Change

 

ODT Control

ODT Signaling NOT Required

Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps

Multi-Purpose Register

Four Registers – 3 Defined, 1 RFU

Provides Additional Specialty Readout

DIMM Types

RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM

 

DIMM Pins

288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)

 

RAS

CRC, Parity, Addressability, GDM

More RAS Features, Improved Data Integrity

 

 

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